国家存储器基地
的有关信息介绍如下:
国家存储器基地是中国在武汉光谷建设的集成电路国家战略项目 ,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设 。项目于2016年12月30日正式动工,总投资240亿美元 ,以在武汉新芯集成电路制造有限公司基础上组建的长江存储科技有限责任公司为实施主体 。
2013年,中国发布自主研发55纳米相变存储芯片。2016年3月,武汉新芯公司启动存储器基地建设 。2017年,首颗自主研发32层三维闪存芯片问世。2019年,基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。2020年,全球首款128层QLC闪存芯片研发成功。项目已形成从设计、制造到封装测试的完整产业链,在此带动下,2025年武汉集成电路产业规模突破千亿元 。
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