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功率晶体管原理

功率晶体管原理

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功率晶体管原理

《功率晶体管原理》是2009年湖南大学出版社出版的图书,作者是万积庆,ISBN为978-7-81113-491-9,定价43.00元,共273页。

本书首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术,并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数;然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。本书可作为微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。

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